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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Localized surface optical phonon mode in the InGaN/GaN multiple-quantum-wells nanopillars: Raman spectrum and imaging 期刊论文 applied physics letters, 2011, 卷号: 99, 期号: 11, 页码: 113115 Zhu JH; Ning JQ; Zheng CC; Xu SJ; Zhang SM; Yang H 收藏  |  浏览/下载：71/0  |  提交时间：2012/02/06 LIGHT-EMITTING-DIODES  LASER-DIODES  GAN  NANOWIRES   Structure, Stress State and Piezoelectric Property of GaN Nanopyramid Arrays 期刊论文 applied physics express, 2011, 卷号: 4, 期号: 4, 页码: article no.45001 Liu JQ; Wang JF; Gong XJ; Huang J; Xu K; Zhou TF; Zhong HJ; Qiu YX; Cai DM; Ren GQ; Yang H 收藏  |  浏览/下载：71/3  |  提交时间：2011/07/05 OUTPUT VOLTAGE  NANOWIRES  NANOGENERATORS  GROWTH   Fabrication and excitation-power-density-dependent micro-photoluminescence of hexagonal nanopillars with a single InGaAs/GaAs quantum well 期刊论文 nanotechnology, 2008, 卷号: 19, 期号: 27, 页码: art. no. 275304 Yang, L; Motohisa, J; Tomioka, K; Takeda, J; Fukui, T; Geng, MM; Jia, LX; Zhang, L; Liu, YL 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/03/08 INTERNAL ELECTRIC-FIELDS  OPTICAL-PROPERTIES  EPITAXIAL-GROWTH  BUILDING-BLOCKS  (111)B SURFACES  NANOWIRES  INTENSITY  DEVICES  GAAS   Metal-free growth of Si/SiO2 nanowires by annealing SiOx (x < 2) films deposited by PECVD 会议论文 symposium on group-4 semiconductor nanostructures held at the 2004 mrs fall meeting, boston, ma, nov 29-dec 02, 2004 Wang, XX; Zhang, JG; Wang, QM 收藏  |  浏览/下载：202/48  |  提交时间：2010/03/29 SILICON NANOWIRES