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半导体研究所 [13]
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期刊论文 [12]
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光电子学 [13]
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学科主题:光电子学
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Influence of residual carbon impurities in a heavily Mg-doped GaN contact layer on an Ohmic contact
期刊论文
Applied Optics, 2017, 卷号: 56, 期号: 14, 页码: 4197-4200
作者:
Feng Liang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Zongshun Liu
;
Jianjun Zhu
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浏览/下载:17/0
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提交时间:2018/07/11
XPS study of impurities in Si-doped AlN film
期刊论文
surface and interface analysis, 2016, 卷号: 48, 期号: 12, 页码: 1305–1309
F. Liang
;
P. Chen
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
Z. J. Zhao
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
J. Yang
;
L. C. Le
;
W. Liu
;
X.G. He
;
X. J. Li
;
X Li
;
S. T Liu
;
H. Yang
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:29/0
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提交时间:2017/03/10
Influence of residual carbon impurities in i-GaN layer on the performance of GaN-based p-i-n photodetectors
期刊论文
journal of vacuum science & technology b, 2016, 卷号: 34, 期号: 1, 页码: 011204
Xiaojing Li
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Jianjun Zhu
;
Zongshun Liu
;
Lingcong Le
;
Jing Yang
;
Xiaoguang He
;
Liqun Zhang
;
Shuming Zhang
;
Jianping Liu
;
Hui Yang
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浏览/下载:18/0
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提交时间:2017/03/10
Emission efficiency enhanced by reducing the concentration of residual carbon impurities in InGaN/GaN multiple quantum well light emitting diodes
期刊论文
optics express, 2016, 卷号: 24, 期号: 13, 页码: 13824-13831
J. Yang
;
D. G. Zhao
;
D. S. Jiang
;
P. Chen
;
Z. S. Liu
;
J. J. Zhu
;
X. J. Li
;
X. G. He
;
J. P. Liu
;
L. Q. Zhang
;
H. Yang
;
Y. T. Zhang
;
G. T. Du
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浏览/下载:15/0
  |  
提交时间:2017/03/10
Influence of hydrogen impurities on p-type resistivity in Mg-doped GaN films
期刊论文
journal of vacuum science & technology a, 2015, 卷号: 33, 期号: 2, 页码: 021505
Jing Yang
;
Degang Zhao
;
Desheng Jiang
;
Ping Chen
;
Jianjun Zhu
;
Zongshun Liu
;
Lingcong Le
;
Xiaoguang He
;
Xiaojing Li
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浏览/下载:22/0
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提交时间:2016/03/23
Investigation on the compensation effect of residual carbon impurities in low temperature grown Mg doped GaN films
期刊论文
journal of applied physics, 2014, 卷号: 115, 期号: 16, 页码: 163704
Yang, J
;
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Yang, H
;
Chen, P
;
Liu, ZS
;
Le, LC
;
Li, XJ
;
He, XG
;
Liu, JP
;
Zhang, SM
;
Wang, H
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2015/04/02
Investigation on the structural origin of n-type conductivity in InN films
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2008, 卷号: 41, 期号: 13, 页码: art. no. 135403
Wang, H
;
Jiang, DS
;
Wang, LL
;
Sun, X
;
Liu, WB
;
Zhao, DG
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Wang, YT
;
Zhang, SM
;
Yang, H
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浏览/下载:53/1
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提交时间:2010/03/08
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
GAN FILMS
DISLOCATION SCATTERING
LAYER THICKNESS
INDIUM NITRIDE
BAND-GAP
VACANCIES
Photoluminescence degradation in GaN induced by light enhanced surface oxidation
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 7, 页码: art.no.076112
Liu WB (Liu Wenbao)
;
Sun X (Sun Xian)
;
Zhang S (Zhang Shuang)
;
Chen J (Chen Jun)
;
Wang H (Wang Hui)
;
Wang XL (Wang Xiaolan)
;
Zhao DG (Zhao Degang)
;
Yang H (Yang Hui)
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浏览/下载:45/0
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提交时间:2010/03/29
GAAS-SURFACES
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Phonon-induced Raman scattering in GaNAs
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2001, 卷号: 20, 期号: 1, 页码: 11-14
作者:
Tan PH
;
Jiang DS
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浏览/下载:89/6
  |  
提交时间:2010/08/12
GaNAs
Raman scattering
local vibrational mode
GAAS1-XNX
ALLOYS
GAASN
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