QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Band gap renormalization and carrier localization effects in InGaN/GaN quantum-wells light emitting diodes with Si doped barriers 期刊论文 applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 4, 页码: art.no.041903 作者:  Zhao DG 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 PHOTOLUMINESCENCE  LUMINESCENCE   Non-exponential photoluminescence decay dynamics of localized carriers in disordered InGaN/GaN quantum wells: the role of localization length 期刊论文 optics express, 2006, 卷号: 14, 期号: 26, 页码: 13151-13157 Wang, YJ (Wang, Y. J.); Xu, SJ (Xu, S. J.); Zhao, DG (Zhao, D. G.); Zhu, JJ (Zhu, J. J.); Yang, H (Yang, H.); Shan, XD (Shan, X. D.); Yu, DP (Yu, D. P.) 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/29 TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE