×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [7]
内容类型
期刊论文 [6]
会议论文 [1]
发表日期
2010 [3]
2008 [2]
2007 [1]
2006 [1]
学科主题
光电子学 [7]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共7条,第1-7条
帮助
限定条件
学科主题:光电子学
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Study of GaN epilayers growth on freestanding Si cantilevers
期刊论文
solid-state electronics, 2010, 卷号: 54, 期号: 1, 页码: 4-7
Chen J
;
Wang X
;
Wu AM
;
Zhang B
;
Wang X
;
Wu YX
;
Zhu JJ
;
Yang H
收藏
  |  
浏览/下载:72/0
  |  
提交时间:2010/04/04
FABRICATION
SILICON
MEMS
NITRIDE
Investigation on the strain relaxation of InGaN layer and its effects on the InGaN structural and optical properties
期刊论文
physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 22, 页码: 4668-4672
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Qiu YX (Qiu Y. X.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/12/12
InGaN
Dislocation
Metalorganic chemical vapor deposition
High resolution X-ray diffraction
Cathodoluminescence
MISFIT DISLOCATIONS
QUANTUM-WELLS
BAND-GAP
EPILAYERS
GENERATION
ALLOYS
INN
Cathodoluminescence study on in composition inhomogeneity of thick InGaN layer
期刊论文
thin solid films, 2010, 卷号: 518, 期号: 17, 页码: 5028-5031
Wang H (Wang H.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Jahn U (Jahn U.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
  |  
浏览/下载:60/2
  |  
提交时间:2010/08/17
Gallium Nitride
Indium Gallium Nitride
Cathodeluminescence
X-ray Diffraction
Metal-Organic Chemical Vapor Deposition
Enhancement of electroluminescence in p-i-n structures with nano-crystalline Si/SiO2 multilayers
期刊论文
semiconductor science and technology, 2008, 卷号: 23, 期号: 1, 页码: art. no. 015013
Chen DY
;
Wei DY
;
Xu J
;
Han PG
;
Wang X
;
Ma ZY
;
Chen KJ
;
Shi WH
;
Wang QM
收藏
  |  
浏览/下载:45/1
  |  
提交时间:2010/03/08
SILICON NANOCRYSTALS
The influence of substrate nucleation on HVPE-grown GaN thick films - art. no. 684105
会议论文
conference on solid state lighting and solar energy technologies, beijing, peoples r china, nov 12-14, 2007
Wei, TB
;
Duan, RF
;
Wang, JX
;
Li, JM
;
Huo, ZQ
;
Zeng, YP
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/09
HVPE
GaN
nitridation
polarity
etching
A novel implantable multichannel silicon-based microelectrode
期刊论文
chinese physics, 2007, 卷号: 16, 期号: 7, 页码: 2116-2119
Sui XH (Sui Xiao-Hong)
;
Zhang RX (Zhang Ruo-Xin)
;
Pei WH (Pei Wei-Hua)
;
Chen HD (Chen Hong-Da)
收藏
  |  
浏览/下载:28/0
  |  
提交时间:2010/03/29
MEMS
Chemical composition and elastic strain in AlInGaN quaternary films
期刊论文
thin solid films, 2006, 卷号: 515, 期号: 4, 页码: 1429-1432
Zhou, SQ (Zhou, Shengqiang)
;
Wu, MF (Wu, M. F.)
;
Yao, SD (Yao, S. D.)
;
Liu, JP (Liu, J. P.)
;
Yang, H (Yang, H.)
收藏
  |  
浏览/下载:35/0
  |  
提交时间:2010/03/29
Rutherford backscattering spectroscopy
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace