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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Efficient 1.53 mu m emission and energy transfer in Si/Er-Si-O multilayer structure 期刊论文 materials research bulletin, 2011, 卷号: 46, 期号: 2, 页码: 262-265 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：63/4  |  提交时间：2011/07/05 Multilayers  Inorganic compounds  Sputtering  Optical properties  DOPED SI/SIO2 SUPERLATTICES  ERBIUM SILICATE  ER3+  LUMINESCENCE  FILMS  PHOTOLUMINESCENCE   Highly efficient photoluminescence of Er2SiO5 films grown by reactive magnetron sputtering method 期刊论文 journal of luminescence, 2010, 卷号: 130, 期号: 3, 页码: 411-414 作者:  Xue CL 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/05 Erbium silicate  Photoluminescence  Si photonics  WAVE-GUIDE AMPLIFIERS  CRYSTALLINE FILMS  ERBIUM SILICATE  ENERGY-TRANSFER  SI  ER3+  EXCITATION   An experimental study about the influence of well thickness on the electroluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells 期刊论文 journal of alloys and compounds, 2010, 卷号: 489, 期号: 2, 页码: 461-464 作者:  Wang YT;  Zhao DG;  Zhang SM;  Yang H;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：146/11  |  提交时间：2010/04/04 Nitride materials  Crystal growth  X-ray diffraction  TIME-RESOLVED PHOTOLUMINESCENCE  LIGHT-EMITTING-DIODES  PIEZOELECTRIC FIELDS  LASER-DIODES  DEPENDENCE  RECOMBINATION  POLARIZATION  DYNAMICS  GROWTH  MOCVD   Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN? 期刊论文 journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521 Zhao, DG; Jiang, DS; Zhu, JJ; Liu, ZS; Zhang, SM; Liang, JW; Yang, H 收藏  |  浏览/下载：51/5  |  提交时间：2010/03/08 CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  MOLECULAR-BEAM EPITAXY  X-RAY-DIFFRACTION  MG-DOPED GAN  UNDOPED GAN  PHOTOLUMINESCENCE BANDS  THREADING DISLOCATIONS  POSITRON-ANNIHILATION  GROWTH STOICHIOMETRY  GALLIUM NITRIDE   Effect of GaAS(100) 2 degrees surface misorientation on the formation and optical properties of MOCVD grown InAs quantum dots 期刊论文 applied surface science, 2006, 卷号: 252, 期号: 23, 页码: 8126-8130 Liang S (Liang S.); Zhu HL (Zhu H. L.); Ye XL (Ye X. L.); Wang W (Wang W.) 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2010/04/11 photoluminescence  quantum dots  indium arsenide  1.3 MU-M  CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION  PHASE-EPITAXY  GAAS  LUMINESCENCE  SUBSTRATE  ISLANDS  DENSITY  LASERS  LAYER   Estimation of frequency response of directly modulated lasers from optical spectra 期刊论文 journal of physics d-applied physics, 2006, 卷号: 39, 期号: 21, 页码: 4578-4581 Zhu NH (Zhu Ning Hua); Zhang T (Zhang Tao); Zhang YL (Zhang Ya Li); Xu GZ (Xu Gui Zhi); Wen JM (Wen Ji Min); Huang HP (Huang Heng Pei); Liu Y (Liu Yu); Xie L (Xie Liang) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/04/11 CHIRP PARAMETERS  PHOTODETECTORS  PHOTODIODE   Absolute measurement of detector quantum efficiency using optical parametric down-conversion pumped by femtosecond laser pulses 期刊论文 measurement science & technology, 2002, 卷号: 13, 期号: 2, 页码: 186-189 作者:  Liu B;  Jiang DS 收藏  |  浏览/下载：82/9  |  提交时间：2010/08/12 detector quantum efficiency  optical parametric down-conversion  femtosecond laser pulses  PHOTODETECTORS   The mechanism of blueshift in excitation-intensity-dependent photo luminescence spectrum of nitride multiple quantum wells 期刊论文 journal of luminescence, 2002, 卷号: 99, 期号: 1, 页码: 35-38 作者:  Han PD 收藏  |  浏览/下载：26/0  |  提交时间：2010/08/12 photoluminescence  excitation transfer mechanism  GAN  InGaN  MOCVD  INGAN SINGLE  EMISSION  POLARIZATION