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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Highly efficient 1.53 mu m luminescence in ErxYb2-xSi2O7 thin films grown on Si substrate 期刊论文 materials letters, 2011, 卷号: 65, 期号: 5, 页码: 860-862 Zheng J; Tao YL; Wang W; Zhang LZ; Zuo YH; Xue CL; Cheng BW; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：65/3  |  提交时间：2011/07/05 Luminescence  Optical materials and properties  Sputtering  Thin films  PHOTOLUMINESCENCE  ER3+   Quantitative strain characterization of SiGe heterostructures by high-resolution transmission electron microscopy 期刊论文 physica b-condensed matter, 2010, 卷号: 405, 期号: 16, 页码: 3433-3435 Zhao CW (Zhao C. W.); Xing YM (Xing Y. M.); Yu JZ (Yu J. Z.); Han GQ (Han G. Q.) 收藏  |  浏览/下载：100/3  |  提交时间：2010/09/07 Si/Ge heterostructures  Strain  High-resolution Transmission electron  microscopy   Normal incidence p-i-n Ge heterojunction photodiodes on Si substrate grown by ultrahigh vacuum chemical vapor deposition 期刊论文 optics communications, 2010, 卷号: 283, 期号: 18, 页码: 3404-3407 Zhou ZW (Zhou Zhiwen); He JK (He Jingkai); Wang RC (Wang Ruichun); Li C (Li Cheng); Yu JZ (Yu Jinzhong) 收藏  |  浏览/下载：85/0  |  提交时间：2010/08/17 Germanium  Hererojunction  Photodiode  Tensile strain   In situ annealing during the growth of relaxed SiGe 会议论文 conference on optical and infrared thin films, san diego, ca, 36739 Li DZ; Huang CJ; Cheng BW; Wang HJ; Yu Z; Zhang CH; Yu JZ; Wang QM 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/10/29 Ultrahigh Vacuum Chemical Vapor Deposition  SiGe  Refractive High Energy Electron Diffraction  tansmission electron microscopy  Double Crystal X-Ray Diffraction  MOBILITY 2-DIMENSIONAL ELECTRON  CRITICAL THICKNESS  STRAINED LAYERS  GE  RELAXATION  EPILAYERS  SI1-XGEX  GESI/SI  GASES