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科研机构
半导体研究所 [9]
内容类型
期刊论文 [8]
会议论文 [1]
发表日期
2007 [1]
2006 [6]
2005 [1]
2001 [1]
学科主题
光电子学 [9]
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学科主题:光电子学
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Does an enhanced yellow luminescence imply a reduction of electron mobility in n-type GaN?
期刊论文
journal of applied physics, 2007, 卷号: 102, 期号: 11, 页码: art. no. 113521
Zhao, DG
;
Jiang, DS
;
Zhu, JJ
;
Liu, ZS
;
Zhang, SM
;
Liang, JW
;
Yang, H
收藏
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浏览/下载:51/5
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提交时间:2010/03/08
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Effects of grain size on the mosaic tilt and twist in InN films grown on GaN by metal-organic chemical vapor deposition
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 9, 页码: art.no.092114
Wang H (Wang H.)
;
Huang Y (Huang Y.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Wang LL (Wang L. L.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:42/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
ELECTRON-TRANSPORT
EPITAXIAL GAN
BAND-GAP
DISLOCATIONS
SAPPHIRE
ALN
Measurement of threading dislocation densities in GaN by wet chemical etching
期刊论文
semiconductor science and technology, 2006, 卷号: 21, 期号: 9, 页码: 1229-1235
作者:
Yang H
;
Zhu JJ
;
Yang H
;
Wang H
;
Wang H
收藏
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浏览/下载:43/0
  |  
提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
Role of edge dislocations in enhancing the yellow luminescence of n-type GaN
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 88, 期号: 24, 页码: art.no.241917
作者:
Jiang DS
;
Zhu JJ
;
Li XY
;
Zhang SM
;
Zhao DG
收藏
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浏览/下载:47/0
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
X-RAY-DIFFRACTION
MG-DOPED GAN
UNDOPED GAN
PHOTOLUMINESCENCE BANDS
THREADING DISLOCATIONS
POSITRON-ANNIHILATION
GROWTH STOICHIOMETRY
GALLIUM NITRIDE
Evolution of mosaic structure in InN grown by metalorganic chemical vapor deposition
期刊论文
journal of crystal growth, 2006, 卷号: 293, 期号: 2, 页码: 269-272
Huang Y (Huang Y.)
;
Wang H (Wang H.)
;
Sun Q (Sun Q.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Li DY (Li D. Y.)
;
Zhang JC (Zhang J. C.)
;
Wang JF (Wang J. F.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:49/0
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提交时间:2010/04/11
growth mode
X-ray diffraction
metalorganic chemical vapor deposition
indium nitride
X-RAY-DIFFRACTION
THREADING DISLOCATIONS
ELECTRON-TRANSPORT
BUFFER LAYER
THIN-FILMS
GAN FILMS
SAPPHIRE
ALN
Structural characterization of AlGaN/GaN superlattices by x-ray diffraction and Rutherford backscattering
期刊论文
superlattices and microstructures, 2006, 卷号: 40, 期号: 3, 页码: 137-143
Zhou SQ (Zhou Shengqiang)
;
Wu MF (Wu M. F.)
;
Yao SD (Yao S. D.)
;
Zhang BS (Zhang B. S.)
;
Yang H (Yang H.)
收藏
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浏览/下载:24/0
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提交时间:2010/04/11
nitride semiconductors
superlattice
Rutherford backscattering/channeling
transmission electron microscopy
x-ray diffraction
MULTIPLE-QUANTUM WELLS
OPTICAL-PROPERTIES
INGAN/GAN
STRAIN
INTERFACE
GROWTH
GAN
Effects of edge dislocations and intentional Si doping on the electron mobility of n-type GaN films
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 11, 页码: art.no.112106
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Yang H (Yang Hui)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Liu ZS (Liu Z. S.)
;
Zhang SM (Zhang S. M.)
;
Wang YT (Wang Y. T.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2010/04/11
X-RAY-DIFFRACTION
SCATTERING
GROWTH
LAYERS
Influence of dislocations on photoluminescence of InGaN/GaN multiple quantum wells
期刊论文
applied physics letters, 2005, 卷号: 87, 期号: 7, 页码: art.no.071908
作者:
Jiang DS
;
Zhang JC
;
Yang H
;
Zhang JC
;
Zhang JC
收藏
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浏览/下载:64/14
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提交时间:2010/03/17
X-RAY-DIFFRACTION
Quality improvement of GaInNAs/GaAs quantum wells grown by plasma-assisted molecular beam epitaxy
会议论文
11th international conference on molecular beam epitaxy (mbe-xi), beijing, peoples r china, sep 11-15, 2000
Li LH
;
Pan Z
;
Zhang W
;
Lin YW
;
Wang XY
;
Wu RH
收藏
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浏览/下载:10/0
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提交时间:2010/11/15
characterization
defects
X-ray diffraction
molecular beam epitaxy
nitrides
GAAS
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