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科研机构
半导体研究所 [2]
内容类型
期刊论文 [2]
发表日期
2006 [1]
2000 [1]
学科主题
光电子学 [2]
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学科主题:光电子学
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Strain evolution in GaN layers grown on high-temperature AlN interlayers
期刊论文
applied physics letters, 2006, 卷号: 89, 期号: 15, 页码: art.no.152105
Wang JF (Wang J. F.)
;
Yao DZ (Yao D. Z.)
;
Chen J (Chen J.)
;
Zhu JJ (Zhu J. J.)
;
Zhao DG (Zhao D. G.)
;
Jiang DS (Jiang D. S.)
;
Yang H (Yang H.)
;
Liang JW (Liang J. W.)
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提交时间:2010/04/11
CHEMICAL-VAPOR-DEPOSITION
STRESS EVOLUTION
DEFECT STRUCTURE
EPITAXIAL GAN
THIN-FILMS
ALGAN
DISLOCATIONS
RELAXATION
REDUCTION
The improvement characteristics of homoepitaxial GaAs grown by atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
期刊论文
journal of infrared and millimeter waves, 2000, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: 191-193
Wang HL
;
Zhu HJ
;
Ning D
;
Wang H
;
Wang XD
;
Guo ZS
;
Feng SL
收藏
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浏览/下载:83/0
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提交时间:2010/08/12
atomic hydrogen-assisted molecular beam epitaxy
deep level transient spectroscopy
deep level defects
DISLOCATION DENSITY
IRRADIATION
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