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浏览/检索结果: 共10条，第1-10条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 立方相GaN的持续光电导 期刊论文 半导体学报, 2003, 卷号: 24, 期号: 1, 页码: 34-38 作者:  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：20/0  |  提交时间：2010/11/23 用侧向外延生长法降低立方相GaN中的层错密度 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 10, 页码: 1093-1097 沈晓明; 付羿; 冯淦; 张宝顺; 冯志宏; 杨辉 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2010/11/23 GaN/GaAs(001)与GaN/Al_2O_3(0001)外延层光辅助湿法腐蚀行为的比较 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 8, 页码: 881-885 作者:  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相 Al_xGa_(1-x)N/GaAs(100)的MOVCD外延生长 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 2, 页码: 161-164 作者:  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相GaN外延层中堆垛层错的非对称性 期刊论文 广西大学学报. 自然科学版, 2002, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 252-255 沈晓明; 渠波; 冯志宏; 杨辉 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs吸收衬底生长的立方相GaN发光二极管的工艺设计与实现 期刊论文 半导体学报, 2002, 卷号: 23, 期号: 9, 页码: 1001-1005 作者:  张书明;  赵德刚 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs衬底生长的立方GaN晶片键合技术 期刊论文 中国科学. E辑，技术科学, 2002, 卷号: 32, 期号: 5, 页码: 584-589 作者:  王玉田;  赵德刚;  张书明 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2010/11/23 GaAs（001）衬底上MOCVD生长的立方相GaN外延薄膜的光学性质研究 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 20, 期号: 3, 页码: 225 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相Al_xGa_（1-x）N/GaAs（100）的光致发光研究 期刊论文 半导体学报, 1999, 卷号: 723, 期号: 0 作者:  赵德刚;  王玉田 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2010/11/23 立方相GaN/GaAs（100）质量的X射线双晶衍射研究 期刊论文 中国科学. A辑，数学, 1998, 卷号: 28, 期号: 12, 页码: 1112 作者:  王玉田 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2010/11/23