QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 学科主题：光电子学    专题：半导体研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Evaluation of both composition and strain distributions in InGaN epitaxial film using x-ray diffraction techniques 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 10, 页码: art. no. 106802 Guo X (Guo Xi); Wang H (Wang Hui); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Wang YT (Wang Yu-Tian); Zhao DG (Zhao De-Gang); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：28/0  |  提交时间：2010/11/02 InGaN  In-plane grazing incidence x-ray diffraction  reciprocal space mapping  biaxial strain  CRITICAL LAYER THICKNESS  OPTICAL-PROPERTIES  LATTICE-CONSTANTS  GAN  HETEROSTRUCTURES  ALLOYS  WELLS   Back-incident SiGe-Si multiple quantum-well resonant-cavity-enhanced photodetectors for 1.3-mu m operation 期刊论文 ieee photonics technology letters, 2000, 卷号: 12, 期号: 10, 页码: 1373-1375 Li C; Yang QQ; Wang HJ; Yu JZ; Wang QM; Li YK; Zhou JM; Huang H; Ren XM 收藏  |  浏览/下载：44/0  |  提交时间：2010/08/12 Bragg reflector  resonant-cavity-enhanced photodetector  responsivity  SiGe  PHOTODIODE  REFLECTORS  MIRRORS