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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2020     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Single-event induced failure mode of PWM in DC/DC converter 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2020, 卷号: 114, 页码: 6 作者:  Gao, J.;  Li, C.;  Li, B.;  Li, B.;  Zhao, F. 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2021/12/13 Modeling of a Smart Nano Force Sensor Using Finite Elements and Neural Networks 期刊论文 International Journal of Automation and Computing, 2020, 卷号: 17, 期号: 2, 页码: 279-291 作者:  Farid Menacer;  Abdelmalek Kadr;  Zohir Dibi 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2021/02/22 Nano force  sensor  carbon nanotube (CNT)  finite elements  neural network.   Study of the influence of gamma irradiation on long-term reliability of SiC MOSFET 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2020, 卷号: 175, 期号: 5-6, 页码: 559-566 作者:  Liang, XW (Liang, Xiaowen)[ 1,2,3 ];  Cui, JW (Cui, Jiangwei)[ 1,2 ];  Zheng, QW (Zheng, Qiwen)[ 1,2 ];  Zhao, JH (Zhao, Jinghao)[ 1,2,3 ];  Yu, XF (Yu, Xuefeng)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：39/0  |  提交时间：2020/12/11 SiC MOSFET  total ionizing dose irradiation  time-dependent dielectric breakdown   Nanowire gate-all-around MOSFETs modeling: ballistic transport incorporating the source-to-drain tunneling 期刊论文 Japanese Journal of Applied Physics, 2020, 卷号: 59, 期号: 7, 页码: 1-9 作者:  Cheng H(程贺);  Liu TF(刘铁锋);  Zhang C(张超) 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2020/07/11 ballistic transport  cylindrical gate-allaround (GAA) MOSFET  compact model  Wentzel-Kramers-Brillouin (WKB) approximation  the source-to-drain tunneling   Analytic Compact Model of Short-channel Cylindrical ballistic GAA MOSFET Including SDT effect 会议论文 Zhangjiajie, China, April 24-26, 2020 作者:  Cheng H(程贺);  Zhang C(张超);  Liu TF(刘铁锋);  Yang ZJ(杨志家);  Zhang ZP(张志鹏) 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2020/08/01