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浏览/检索结果: 共8条，第1-8条 帮助 限定条件 发表日期：2020    专题：长春光学精密机械与物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modulation of Field-Effect Passivation at the Back Electrode Interface Enabling Efficient Kesterite-Type Cu2ZnSn(S,Se)(4) Thin-Film Solar Cells 期刊论文 Acs Applied Materials & Interfaces, 2020, 卷号: 12, 期号: 34, 页码: 38163-38174 作者:  Y. P. Song,H. H. Sun,B. Yao,Y. F. Li,Z. H. Ding,W. Qin,Z. Z. Zhang,L. G. Zhang,H. F. Zhao and D. C. Pan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2021/07/06 Optoelectronic Modulation of Undoped NiOx Films for Inverted Perovskite Solar Cells via Intrinsic Defect Regulation 期刊论文 Acs Applied Energy Materials, 2020, 卷号: 3, 期号: 10, 页码: 9732-9741 作者:  M. L. Feng,M. Wang,H. P. Zhou,W. Li,X. H. Xie,S. P. Wang,Z. G. Zang and S. J. Chen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Polarization dependent infrared reflectivity studies of Si-doped MOCVD grown GaN/Sapphire epilayers 期刊论文 Materials Chemistry and Physics, 2020, 卷号: 252, 页码: 16 作者:  D. N. Talwar,H. H. Lin and Z. C. Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06 Anisotropic optical phonons in MOCVD grown Si-doped GaN/Sapphire epilayers 期刊论文 Materials Science and Engineering B-Advanced Functional Solid-State Materials, 2020, 卷号: 260, 页码: 10 作者:  D. N. Talwar, H. H. Lin and Z. C. Feng 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06 Suppression of Persistent Photoconductivity of Rubrene Crystals using Gate-Tunable Rubrene/Bi(2)Se(3)Diodes with Photoinduced Negative Differential Resistance 期刊论文 Small, 2020, 卷号: 16, 期号: 32, 页码: 9 作者:  K. Pei,F. K. Wang,W. Han,S. J. Yang,K. L. Liu,K. W. Liu,H. Q. Li and T. Y. Zhai 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Electrical transport properties of Weyl semimetal WTe2 under high pressure 期刊论文 Journal of Materials Science, 2020, 卷号: 55, 期号: 30, 页码: 14873-14882 作者:  Y. Q. Li,J. X. Liu,P. G. Zhang,J. X. Zhang,N. R. Xiao,L. Y. Yu and P. J. Niu 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2021/07/06 Defects controlled doping and electrical transport in TiS2 single crystals 期刊论文 Applied Physics Letters, 2020, 卷号: 116, 期号: 12, 页码: 5 作者:  K. Chen,M. Song,Y. Y. Sun,H. Xu,D. C. Qi,Z. H. Su,X. Y. Gao,Q. Xu,J. Hu,J. F. Zhu,R. R. Zhang,J. Wang,L. Zhang,L. Cao,Y. Y. Han and Y. M. Xiong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06 Characterization of carrier transport behavior of specific type dislocations in GaN by light assisted KPFM 期刊论文 Journal of Physics D-Applied Physics, 2020, 卷号: 53, 期号: 23, 页码: 6 作者:  C. H. Kai,X. J. Sun,Y. P. Jia,K. Jiang,Z. M. Shi,J. W. Ben,Y. Wu,Y. Wang and D. B. Li 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2021/07/06