×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [2]
西安交通大学 [1]
金属研究所 [1]
山东大学 [1]
天津大学 [1]
内容类型
期刊论文 [6]
发表日期
2019 [6]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共6条,第1-6条
帮助
限定条件
发表日期:2019
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
Modulation of spin-orbit torque induced magnetization switching in Pt/CoFe through oxide interlayers
期刊论文
APPLIED PHYSICS LETTERS, 2019, 卷号: 114, 期号: 21, 页码: 5
作者:
Li, Shangkun
;
Zhao, Xiaotian
;
Liu, Wei
;
Zhao, Xinguo
;
Zhang, Zhidong
收藏
  |  
浏览/下载:7/0
  |  
提交时间:2021/02/02
A Novel STT-MRAM Design With Electric-Field-Assisted Synthetic Anti-Ferromagnetic Free Layer
期刊论文
IEEE Transactions on Magnetics, 2019, 卷号: 55
作者:
Hao, Runzi
;
Wang, Lei
;
Min, Tai
收藏
  |  
浏览/下载:14/0
  |  
提交时间:2019/11/19
Magnetic tunneling
Magnetic tunneling junctions
Non-volatile memory
Perpendicular magnetic anisotropy
Ruderman-Kittel-Kasuya-Yosida
Spin transfer torque
synthetic anti-ferromagnetic (SAF)
Two-dimensional XSe based magnetic tunneling junctions with high Curie temperature
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: Vol.28 No.10, 页码: 107504
作者:
Longfei Pan
;
Hongyu Wen
;
Le Huang
;
Long Chen
;
Hui-Xiong Deng
收藏
  |  
浏览/下载:13/0
  |  
提交时间:2019/11/21
Ten States of Nonvolatile Memory through Engineering Ferromagnetic Remanent Magnetization
期刊论文
ADVANCED FUNCTIONAL MATERIALS, 2019, 卷号: 29, 期号: 2
作者:
Zhong, Hai
;
Wen, Yan
;
Zhao, Yuelei
;
Zhang, Qiang
;
Huang, Qikun
收藏
  |  
浏览/下载:78/0
  |  
提交时间:2019/12/11
magnetic tunneling junctions
magnetoresistance
multilevel states
nonvolatile memory
remanent magnetization
Two-dimensional XSe2 (X= Mn, V) based magnetic tunneling junctions with high Curie temperature
期刊论文
Chinese Physics B, 2019, 卷号: 28, 期号: 10, 页码: 107504
作者:
Longfei Pan
;
Hongyu Wen
;
Le Huang
;
Long Chen
;
Hui-Xiong Deng
;
Jian-Bai Xia
;
Zhongming Wei
收藏
  |  
浏览/下载:21/0
  |  
提交时间:2020/07/31
Observation of tunneling magnetoresistance effect in L1 0 -MnAl/MgO/ Co 2 MnSi/MnAl perpendicular magnetic tunnel junctions
期刊论文
Journal of Physics D: Applied Physics, 2019, 卷号: 52, 页码: 405002
作者:
Siwei Mao
;
Jun Lu
;
Hailong Wang
;
Xupeng Zhao
;
Dahai Wei
;
Jianhua Zhao
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2020/07/30
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace