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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2019     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 SEE Sensitivity Evaluation for Commercial 16 nm SRAM-FPGA 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 12, 页码: 12 作者:  Cai, Chang;  Gao, Shuai;  Zhao, Peixiong;  Yu, Jian;  Zhao, Kai 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2022/01/19 field-programmable gate arrays  embedded block memory  single event  fault tolerance  radiation effect   Total Ionizing Dose Influence on the Single-Event Multiple-Cell Upsets in 65-nm 6-T SRAM 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON NUCLEAR SCIENCE, 2019, 卷号: 66, 期号: 6, 页码: 892-898 作者:  Zheng, Qiwen;  Cui, Jiangwei;  Lu, Wu;  Guo, Hongxia;  Liu, Jie 收藏  |  浏览/下载：77/0  |  提交时间：2019/11/10 Single-event multiple-cell upsets (MCUs)  static random access memory  total ionizing dose (TID)   Heavy-Ion Induced Single Event Upsets in Advanced 65 nm Radiation Hardened FPGAs 期刊论文 ELECTRONICS, 2019, 卷号: 8, 期号: 3, 页码: 13 作者:  Ke, Lingyun;  Zhao, Peixiong;  Liu, Jie;  Fan, Xue;  Cai, Chang 收藏  |  浏览/下载：108/0  |  提交时间：2019/11/10 FPGA  radiation hardening  single event upsets  heavy ions  error rates