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基于非化学计量比过渡金属氧化物薄膜的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110391583A, 申请日期: 2019-10-29, 公开日期: 2019-10-29
作者:  张多多;  刘小峰;  邱建荣
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一种基于平面光波导的可饱和吸收体及其制备方法 专利
专利号: CN110350389A, 申请日期: 2019-10-18, 公开日期: 2019-10-18
作者:  张多多;  刘小峰;  邱建荣
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等离子体刻蚀方法及垂直腔面发射激光器制备方法 专利
专利号: CN110176398A, 申请日期: 2019-08-27, 公开日期: 2019-08-27
作者:  张鹏;  许聪基;  赖铭智
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脊条形半导体激光器有源区腔体侧壁钝化的优化方法 专利
专利号: CN106505408B, 申请日期: 2019-02-15, 公开日期: 2019-02-15
作者:  王瑾;  郑新和;  刘三姐;  侯彩霞;  何荧峰
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