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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 γ射线辐照对130 nm部分耗尽SOI MOS器件栅氧经时击穿可靠性的影响 期刊论文 红外与激光工程, 2018, 卷号: 47, 期号: 9, 页码: 214-219 作者:  马腾;  苏丹丹;  周航;  郑齐文;  崔江维 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/10/18 场效应晶体管  可靠性  栅氧经时击穿  Γ射线   Investigating the TDDB lifetime growth mechanism caused by proton irradiation in partially depleted SOI devices 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 81, 期号: 2, 页码: 112-116 作者:  Ma, T (Ma, Teng);  Yu, XF (Yu, Xuefeng);  Cui, JW (Cui, Jiangwei);  Zheng, QW (Zheng, Qiwen);  Zhou, H (Zhou, Hang) 收藏  |  浏览/下载：56/0  |  提交时间：2018/03/14 Reliability  Proton Irradiation  Radiation Induced Leakage Current (Rilc)  Time-dependent Dielectric Breakdown (Tddb)  Total Ionizing Does (Tid)