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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Tunable metal-insulator transition, Rashba effect and Weyl Fermions in a relativistic charge-ordered ferroelectric oxide 期刊论文 NATURE COMMUNICATIONS, 2018, 卷号: 9, 页码: - 作者:  He, JG;  Di Sante, D;  Li, RH;  Chen, XQ;  Rondinelli, JM 收藏  |  浏览/下载：25/0  |  提交时间：2018/06/05 Augmented-wave Method  Wannier Functions  States  Bulk  Semiconductors  Perovskites  Temperature  Ag2bio3  Plane  Bands   Characterization of Transient Threshold Voltage Shifts in Enhancement-and Depletion-mode AlGaN/GaN Metal-Insulator-Semiconductor (MIS)-HEMTs 会议论文 作者:  Cui, Miao;  Cai, Yutao;  Lam, Sang;  Liu, Wen;  Zhao, Chun 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/26 AlGaN/GaN MIS-HEMTs  Frequency dependence  Frequency independent  High-voltage switching  Metal-insulator-semiconductors  MIS-HEMT  Threshold voltage shifts  Voltage hysteresis   Annealing effect on the bipolar resistive switching characteristics of a Ti-Si3N4-n-GaN MIS device 期刊论文 Journal of Alloys and Compounds, 2018, 卷号: 740, 页码: 816-822 作者:  Chen, Y. R.;  Li, Z. M.;  Zhang, Z. W.;  Hu, L. Q.;  Jiang, H. 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/09/17 Data storage materials  Resistive switching  Metal-insulator-semiconductor  Annealing effect  Nonvolatile memory  nonvolatile memory  behaviors  mechanism  breakdown  layer  power  ti  Chemistry  Materials Science  Metallurgy & Metallurgical Engineering