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浏览/检索结果: 共7条，第1-7条 帮助 限定条件 发表日期：2018     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 高总剂量水平双极器件剂量率效应及加速评估试验方法的研究 学位论文 中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2018 作者:  李小龙 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2018/07/06 双极晶体管  剂量率效应  低剂量率损伤增强效应  损伤机制  变温加速评估方法   A Multi-Time-Step Finite Element Algorithm for 3-D Simulation of Coupled Drift-Diffusion Reaction Process in Total Ionizing Dose Effect 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON SEMICONDUCTOR MANUFACTURING, 2018, 卷号: 31, 期号: 1, 页码: 183-189 作者:  Xu, Jingjie;  Ma, Zhaocan;  Li, Hongliang;  Song, Yu;  Zhang, Linbo 收藏  |  浏览/下载：37/0  |  提交时间：2018/07/30 Drift-diffusion reaction  ELDRS  finite element method  multi-time-step algorithm  TID   Estimation of low-dose-rate degradation on bipolar linear circuits using different accelerated evaluation methods 期刊论文 ACTA PHYSICA SINICA, 2018, 卷号: 67, 期号: 9, 页码: 202-209 作者:  Li, XL (Li Xiao-Long)[ 1,2,3 ];  Lu, W (Lu Wu)[ 1,2 ];  Wang, X (Wang Xin)[ 1,2,3 ];  Guo, Q (Guo Qi)[ 1,2 ];  He, CF (He Cheng-Fa)[ 1,2 ] 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2018/09/27 Bipolar Circuit  Enhanced Low-dose-rate Sensitivity  Accelerated Evaluation Method   Estimation of enhanced low dose rate sensitivity mechanisms using temperature switching irradiation on gate-controlled lateral PNP transistor 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2018, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: 1-9 作者:  Li, XL (Li, Xiao-Long);  Lu, W (Lu, Wu);  Wang, X (Wang, Xin);  Yu, X (Yu, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi) 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2018/05/14 Ionizing Radiation Damage  Enhanced Low Dose Rate Sensitivity (Eldrs)  Switched Temperature Irradiation  Gate-controlled Lateral Pnp Transistor (glPnp)   Using temperature-switching approach to evaluate the ELDRS of bipolar devices 期刊论文 RADIATION EFFECTS AND DEFECTS IN SOLIDS, 2018, 卷号: 172, 期号: 11-12, 页码: 824-834 作者:  Li, XL (Li, Xiaolong);  Lu, W (Lu, Wu);  Wang, X (Wang, Xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Yu, X (Yu, Xin) 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2018/07/24 Bipolar Technology  Co-60 Gamma Irradiation  Enhanced Low-dose Rate Sensitivity (Eldrs)  Temperature-switching Approach (Tsa)   Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 期号: 5, 页码: 105-111 作者:  Zhang, JX (Zhang, Jin-xin);  Guo, Q (Guo, Qi);  Guo, HX (Guo, Hong-xia);  Lu, W (Lu, Wu);  He, CH (He, Chao-hui) 收藏  |  浏览/下载：38/0  |  提交时间：2018/06/20 Eldrs  Sige Hbt  Gamma Irradiation  Bias Conditions   Investigation of enhanced low dose rate sensitivity in SiGe HBTs by Co-60 gamma irradiation under different biases 期刊论文 MICROELECTRONICS RELIABILITY, 2018, 卷号: 84, 页码: 105-111 作者:  Zhang, Jin-xin;  Guo, Qi;  Guo, Hong-xia;  Lu, Wu;  He, Chao-hui 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2019/11/26 Gamma irradiation  ELDRS  SiGe HBT  Bias conditions