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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2018    专题：湖南大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 The influence of temperature on the silicon droplet evolution in the homoepitaxial growth of 4H-SiC 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2018, 卷号: Vol.504, 页码: 37-40 作者:  Niu Yingxi;  Tang Xiaoyan;  Sang Ling;  Li Yun;  Kong Lingyi 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/26 Surfaces  Defects  Chemical  vapor  deposition  processes  Semiconducting  materials  Semiconducting  silicon  compounds