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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interface chemistry study of insb/al2o3 stacks upon in situ post deposition annealing by synchrotron radiation photoemission spectroscopy 期刊论文 Applied surface science, 2017, 卷号: 425, 页码: 932-940 作者:  Shi, Xiaoran;  Wang, Xinglu;  Sun, Yong;  Liu, Chen;  Wang, WeiHua 收藏  |  浏览/下载：190/0  |  提交时间：2019/04/23 Insb/al2o3 stacks  Ald  Pda  Synchrotron radiation  Diffusion  Desorption   Comparison of corrosion behavior of Ti3SiC2and Ti3AlC2in NaCl solutions with Ti 期刊论文 Ceramics International, 2017, 卷号: 43, 期号: 7, 页码: 5708-5714 作者:  Zhu, M.;  Wang, R.;  Chen, C.;  Zhang, H.B.;  Zhang, G.J. 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2018/12/29 Interface chemistry study of InSb/Al2O3 stacks upon in situ post deposition annealing by synchrotron radiation photoemission spectroscopy 期刊论文 APPLIED SURFACE SCIENCE, 2017, 卷号: 425, 页码: 932-940 作者:  Liu C(刘晨);  Wang, WH;  Cheng, YH;  Wang, WC;  Wang, JU 收藏  |  浏览/下载：89/0  |  提交时间：2019/08/27 InSb/Al2O3 stacks  ALD  PDA  Synchrotron radiation  Diffusion  Desorption   Investigation of In Situ SiN as Gate Dielectric and Surface Passivation for GaN MISHEMTs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 832-839 作者:  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Chen, Yuying;  Lu, Xing;  Tang, Chak Wah 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2019/11/26 thermal stability  passivation  GaN  threshold voltage  in situ SiN  gate dielectric   Nb Doped TiO2 Protected Back-Channel-Etched Amorphous InGaZnO Thin Film Transistors 期刊论文 IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS, 2017 Zhang, Letao; Zhou, Xiaoliang; Yang, Huan; He, Hongyu; Wang, Longyan; Zhang, Min; Zhang, Shengdong 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Amorphous indium gallium zinc oxide (a-IGZO)  thin film transistors (TFTs)  back-channel-etch (BCE) process  Nb doped TiO2  THRESHOLD VOLTAGE  CARBON-NANOFILM  BARRIER LAYER  PERFORMANCE  SHIFT