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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 静态随机存取存储器单元 专利 专利号: CN201410594490.2, 申请日期: 2017-03-29, 公开日期: 2015-01-28 作者:  赵发展;  刘鑫;  刘梦新;  韩郑生 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2018/02/07 纳米PMOSFET负偏压温度不稳定性测试方法 期刊论文 固体电子学研究与进展, 2017, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 433-437 作者:  崔江维;  郑齐文;  余徳昭;  周航;  苏丹丹 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2018/01/18 纳米器件  P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管  负偏压温度不稳定性   具有86mV/dec亚阈值摆幅的MoS2/SiO2场效应晶体管 期刊论文 红外与毫米波学报, 2017, 卷号: 36, 页码: 543-549 作者:  刘强[1];  蔡剑辉[2];  何佳铸[3];  王翼泽[4];  张栋梁[5] 收藏  |  浏览/下载：8/0  |  提交时间：2019/04/24 MoS2场效应晶体管  良好的亚阈值斜率  SiO2栅介质  界面态密度   一种还原石墨烯电极MoS2场效应晶体管的制备方法 专利 申请日期: 2017-01-01, 公开日期: 2018-03-06 作者:  王权[1];  曾元明[2];  董金耀[3];  王江祥[4];  韦国成[5] 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2019/12/24 杂质对二硫化钼场效应晶体管磁滞效应的影响 期刊论文 电子元件与材料, 2017, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 52-55 作者:  方佳佳[1];  杨启志[2];  王权[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 MoS2  场效应晶体管  悬置  非悬置  磁滞  电学特性曲线