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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2017     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs With Gate-Drain Underlap 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248 作者:  Xu, Peng;  Lou, Haijun;  Zhang, Lining;  Yu, Zhonghua;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/11/15 Ambipolar current  compact model  gate-drainunderlap  tunneling field-effect transistor (TFET)   Compact Model for Double-Gate Tunnel FETs with Gate-Drain Underlap 期刊论文 IEEE Transactions on Electron Devices, 2017, 卷号: 64, 期号: 12, 页码: 5242-5248 作者:  Xu, Peng;  Lou, Haijun;  Zhang, Lining;  Yu, Zhonghua;  Lin, Xinnan 收藏  |  浏览/下载：0/0  |  提交时间：2020/11/14 Capacitance  SPICE  Tunnel field effect transistors  Ambipolar currents  Compact model  Double gate tunnel fets  Doublegate tunnel fets (DG-TFET)  Effective resistances  Electrical characteristic  Gate drain  Tunneling field-effect transistors   An Accurate Analytical Current Model of Double-gate Heterojunction Tunneling FET 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017, 卷号: 64, 页码: 938-944 作者:  Guan, Yunhe;  Li, Zunchao;  Zhang, Wenhao;  Zhang, Yefei 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/11/26 inversion charge  tangent line approximation  Analyticalmodel  heterojunction tunneling FET (TFET)   Evaluation of Ballistic Transport in III-V-Based p-Channel MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2017 Chang, Pengying; Liu, Xiaoyan; Di, Shaoyan; Du, Gang 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2017/12/03 III-V semiconductors  ballistic transport  eight-band k . p  GaSb  InSb  orientation  pMOSFETs  strain effect  SURFACE ORIENTATION  HOLE MOBILITY  MODEL   Two-dimensional analytical model of double-gate tunnel FETs with interface trapped charges including effects of channel mobile charge carriers 期刊论文 Journal of Semiconductors, 2017, 卷号: Vol.38 No.2, 页码: 024004 作者:  Dai,Yuehua;  Xu,Huifang 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2019/04/22 FIELD-EFFECT TRANSISTOR   A Physics-Based Compact Model for Symmetrical Double-Gate Polysilicon Thin-Film Transistors 期刊论文 2017, 卷号: 64, 期号: 5, 页码: 2221 作者:  Yu, Fei[1,2];  Deng, Wanling[1];  Huang, Junkai[1];  Ma, Xiaoyu[1];  Liou, Juin J.[3] 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/06