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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：合肥物质科学研究院    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Interfacial modulation and electrical properties improvement of solution-processed ZrO2 gate dielectrics upon Gd incorporation 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 699, 期号: 无, 页码: 415-420 作者:  Xiao, D. Q.;  He, G.;  Lv, J. G.;  Wang, P. H.;  Liu, M. 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2018/07/04 High-k Gate Dielectrics  Gd Incorporation  Xps  Electrical Properties  Sol-gel   Modulation of interfacial and electrical properties of ALD-derived HfAlO/Al2O3/Si gate stack by annealing temperature 期刊论文 JOURNAL OF ALLOYS AND COMPOUNDS, 2017, 卷号: 691, 期号: 无, 页码: 504-513 作者:  Gao, J.;  He, G.;  Liu, M.;  Lv, J. G.;  Sun, Z. Q. 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2017/11/21 High-k Dielectric  Interface Thermal Stability  Atomic-layer-deposition  Band Alignment  Electrical Properties  Leakage Current Mechanism