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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：武汉大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/ s跨阻放大器设计 期刊论文 半导体技术, 2017, 卷号: 42, 期号: 12 作者:  薛喆;  何进;  陈婷;  王豪;  常胜 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 跨阻放大器  伪差分输入  电容简并  SiGe双极CMOS(BiCMOS)   基于SiGe BiCMOS工艺的25 Gbit/s跨阻放大器设计 期刊论文 半导体技术, 2017 作者:  薛喆;  何进;  陈婷;  王豪;  常胜 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/05 跨阻放大器  25 Gbit/s  伪差分输入  电容简并  SiGe双极CMOS(BiCMOS)