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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2017    专题：兰州理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Resistive switching of Sn-doped In2O3/HfO2 core-shell nanowire: Geometry architecture engineering for nonvolatile memory 期刊论文 Nanoscale, 2017, 卷号: 9, 期号: 20, 页码: 6920-6928 作者:  Huang, Chi-Hsin;  Chang, Wen-Chih;  Huang, Jian-Shiou;  Lin, Shih-Ming;  Chueh, Yu-Lun 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2020/11/14 Atomic layer deposition  Electric fields  Geometry  Hafnium oxides  Indium compounds  Memory architecture  Metal insulator boundaries  MIM devices  Nanowires  Random access storage  Thin film circuits  Thin film devices  Thin films  Architecture engineering  Core-shell nanowires  Electric field distributions  Innovative approaches  Local electric field  Lower-power consumption  Non-volatile memory  Three dimensional geometry