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半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110159506.3, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-19
作者:  钟汇才;  罗军;  赵超;  李俊峰
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一种MOS器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110329077.X, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2013-05-01
作者:  陈大鹏;  徐秋霞;  殷华湘
收藏  |  浏览/下载:5/0  |  提交时间:2017/06/30
半导体器件及其制造方法 专利
专利号: CN201110159506.3, 申请日期: 2016-03-30, 公开日期: 2012-12-19
作者:  罗军;  赵超;  钟汇才;  李俊峰
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土石坝沥青混凝土心墙施工缺陷条件下水力劈裂研究 学位论文
: 西安理工大学, 2016
作者:  辛宝龙
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生土砖砌体结构及其砌体受压力学性能研究 学位论文
2016
作者:  王朝晖
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