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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2015     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Fabrication and Characterization of Gate-Last Self-Aligned AlN/GaN MISHEMTs With In Situ SiNx Gate Dielectric 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2015, 卷号: 62, 期号: [db:dc_citation_issue], 页码: 1862-1869 作者:  Lu, Xing;  Ma, Jun;  Jiang, Huaxing;  Liu, Chao;  Xu, Peiqiang 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2019/12/02 in situ SiNx  benzocyclobutene (BCB) planarization  MISHEMT  gate-last self-aligned  RF  AlN/GaN  source/drain (S/D) regrowth  high-temperature   Self-aligned offset gate poly-Si TFTs using photoresist trimming technology 期刊论文 science china information sciences, 2015 Wang, Long Yan; Sun, Lei; Han, De Dong; Wang, Yi; Chan, Man Sun; Zhang, Sheng Dong 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/10 A self-aligned gate GaN MOSFET using an ICP-assisted low-temperature Ohmic process 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2015, 卷号: 30, 页码: - 作者:  Wang, Qingpeng;  Jiang, Ying;  Zhang, Jiaqi;  Kawaharada, Kazuya;  Li, Liuan 收藏  |  浏览/下载：7/0  |  提交时间：2019/12/09 self-aligned gate  GaN MOSFET  inductively coupled plasma  low-temperature Ohmic