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| 一种制备GaN:Gd稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105088184A, 申请日期: 2015-11-25, 公开日期: 2015-11-25
作者: 高兴国
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| 一种制备GaMnN稀磁半导体薄膜材料的方法 专利
专利号: CN105018902A, 申请日期: 2015-11-04, 公开日期: 2015-11-04
作者: 高兴国
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| 纳米材料制备过程中的激光方法研究 期刊论文
2015, 2015
陈辉; 强颖怀
收藏 | 浏览/下载：2/0 | 提交时间：2017/06/15
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| 一种GaAs基PHEMT和垂直腔面发射激光器 专利
专利号: CN104752953A, 申请日期: 2015-07-01, 公开日期: 2015-07-01
作者: 王智勇; 高鹏坤; 王青; 郑建华
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| 锰钴镍氧化物薄膜和超薄片的制备及其光学和电学性能研究 学位论文
博士, 北京: 中国科学院大学, 2015
作者: 孔雯雯
收藏 | 浏览/下载：109/0 | 提交时间：2015/06/15
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| 锰钴镍氧化物薄膜和超薄片的制备及其光学和电学性能研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2015
作者: 孔雯雯
收藏 | 浏览/下载：43/0 | 提交时间：2015/06/15
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| 锂氮共掺杂p型氧化锌基薄膜制备及其光电器件研究 学位论文
博士: 中国科学院大学, 2015
作者: 卢英杰
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| 激光分子束外延法制备AlN/Si异质结的电学性质 期刊论文
压电与声光, 2015, 卷号: 37, 期号: 6, 页码: 1043-1046,1052
作者: 方应龙[1]; 贾彩虹[2]; 陈秀文[3]; 张伟风[4]
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