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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：西安理工大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 4°偏角4H-SiC单晶快速外延生长工艺研究 期刊论文 2015, 页码: 191-193 作者:  毛开礼;  王英民;  李斌;  赵高扬 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/20 同质外延 氯化氢 快速外延 Homoepitaxial HCl Fast growth rate