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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：微电子研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 使源/漏区更接近沟道区的MOS器件及其制作方法 专利 专利号: CN201210089963.4, 申请日期: 2015-12-16, 公开日期: 2013-10-23 作者:  秦长亮;  叶甜春;  殷华湘 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2016/10/21 光照稳定性非晶态金属氧化物TFT器件以及显示器件 专利 专利号: CN201110257633.7, 申请日期: 2015-09-23, 公开日期: 2013-03-13 作者:  董立军;  殷华湘;  王玉光;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2016/09/18 单片集成红外焦平面探测器 专利 专利号: CN201310024184.0, 申请日期: 2015-09-16, 公开日期: 2013-05-01 作者:  殷华湘;  王玉光;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/18 半导体器件及其制造方法 专利 专利号: CN201110068069.4, 申请日期: 2015-08-05, 公开日期: 2012-09-26 作者:  殷华湘;  陈大鹏 收藏  |  浏览/下载：6/0  |  提交时间：2016/09/18 具有高击穿电压的HEMT及其制造方法 专利 专利号: CN201110116103.0, 申请日期: 2015-04-08, 公开日期: 2012-11-07 作者:  赵超;  罗军;  陈大鹏;  叶甜春 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2016/09/18