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浏览/检索结果: 共2条，第1-2条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：新疆理化技术研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 深亚微米N沟道MOS晶体管的总剂量效应 期刊论文 微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 5, 页码: 666-669 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远;  崔江维;  汪波;  玛丽娅;  郭旗;  李豫东 收藏  |  浏览/下载：67/0  |  提交时间：2016/06/07 深亚微米  NMOSFET  总剂量效应  窄沟效应   电子辐照深亚微米MOS晶体管的总剂量效应简 期刊论文 微电子学, 2015, 卷号: 45, 期号: 4, 页码: 537-540+544 作者:  文林;  李豫东;  郭旗;  孙静;  任迪远 收藏  |  浏览/下载：35/0  |  提交时间：2015/09/09 深亚微米  NMOSFET  电子辐照  总剂量效应