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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2015    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Growth of In As nanowires with the morphology and crystal structure controlled by carrier gas flow rate 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2015 Li, Ming; Wang, Jingyun; Li, Kan; Xing, Yingjie; Xu, H. Q. 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 Crystal morphology  Low dimensional structures  Nanostructures  Growth from vapor  Nanomaterials  Semiconducting III-V material  III-V NANOWIRES  INAS NANOWIRES  SEMICONDUCTOR NANOWIRES  SUPERLATTICES  SUPERCURRENT  SILICON  SI(111)  INDIUM  MOVPE  GAAS   Nanoscale opening fabrication on Si (111) surface from SiO2 barrier for vertical growth of III-V nanowire arrays 期刊论文 NANOTECHNOLOGY, 2015 Shi, Tuanwei; Wang, Xiaoye; Wang, Baojun; Wang, Wei; Yang, Xiaoguang; Yang, Wenyuan; Chen, Qing; Xu, Hongqi; Xu, Shengyong; Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：4/0  |  提交时间：2017/12/03 nanowire  nanohole  vertical  SiO2 barrier  catalysts-free  FIELD-EFFECT TRANSISTORS  EPITAXIAL-GROWTH  SILICON  PERFORMANCE  MOSFETS   Crystal Structure-Dependent Electromechanical Properties of In As Nanowires 其他 2015-01-01 Xing Li; Xianlong Wei; Tingting Xu; Dong Pan; Jianhua Zhao; Qing Chen 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/12/03 In-situ SEM  electromechanical property  piezoelectric effect  piezoresistive effect  structure dependent  In-situ SEM  electromechanical property  piezoelectric effect  piezoresistive effect  structure dependent   Two different growth mechanisms for au-free InAsSb nanowires growth on Si substrate 期刊论文 crystal growth and design, 2015 Du, Wenna; Yang, Xiaoguang; Pan, Huayong; Wang, Xiaoye; Ji, Haiming; Luo, Shuai; Ji, Xianghai; Wang, Zhanguo; Yang, Tao 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13