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期刊论文 [27]
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专利 [1]
发表日期
2014 [36]
学科主题
materials ... [1]
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共36条,第1-10条
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发表日期:2014
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Graphene film synthesis on SiGe semiconductor substrate for field-effect transistor
期刊论文
MATERIALS LETTERS, 2014, 卷号: 135, 页码: 222-225
作者:
Chen, D
;
Wang, G
;
Li, JH
;
Guo, QL
;
Ye, L
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2015/05/25
Graphene
Raman
Electrical properties
Semiconductors
Ultrasmooth epitaxial Ge grown on (001) Si utilizing a thin B-doped SiGe buffer layer
期刊论文
APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2014, 卷号: 7, 期号: 11, 页码: -
作者:
Chen, D
;
Zhang, M
;
Xue, ZY
;
Wang, G
;
Guo, QL
收藏
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2016/03/29
The study of temperature dependent strain in Ge epilayer with SiGe/Ge buffer layer on Si substrate with different thickness
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4884063, 2014
Wu, Po-Hung
;
Huang, Ying-Sheng
;
Hsu, Hung-Pin
;
Li, Cheng
;
Huang, Shi-Hao
;
Tiong, Kwong-Kau
;
李成
收藏
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浏览/下载:4/0
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提交时间:2015/07/22
QUANTUM-WELL STRUCTURES
THERMAL-EXPANSION
ROOM-TEMPERATURE
ON-INSULATOR
WAVE-GUIDE
GERMANIUM
SILICON
SPECTROSCOPY
EDGE
GAAS
Integration of highly-strained SiGe materials in 14nm and beyond nodes FinFET technology
期刊论文
Solid-State Electronics, 2014
作者:
Li JF(李俊峰)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Luo J(罗军)
;
Guo YL(郭奕栾)
;
Chen T(陈韬)
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浏览/下载:6/0
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提交时间:2015/04/24
Low-Temperature, Solution-Based, Scalable Synthesis of Sb2Te3 Nanoparticles with an Enhanced Power Factor
期刊论文
journal of electronic materials, 2014, 卷号: 43, 期号: 6, 页码: 2165-2173
作者:
Yang, Heng Quan
;
Miao, Lei
;
Zhang, Ming
;
Ohno, Kaoru
;
Zhou, Jian Hua
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2016/11/01
Thermoelectric materials
antimony telluride
growth mechanism
anti-structure defects
基于SiGe工艺的线性射频功率放大器设计
学位论文
: 中国科学院大学, 2014
作者:
贯会征
收藏
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浏览/下载:2/0
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提交时间:2017/09/27
SiGe Selective Epitaxial Growth Process for 22 nm Node CMOS and Beyond
期刊论文
The Electrochemical Society, 2014
作者:
Xu Q(徐强)
;
Wang GL(王桂磊)
;
Ye TC(叶甜春)
;
Luo J(罗军)
;
Li CL(李春龙)
收藏
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浏览/下载:14/0
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提交时间:2015/04/24
Investigation of optical and material properties of Si/SiGe/Si heterostructures by using spectroscopic ellipsometry and a variety of characterizations
会议论文
osa topical conference:the 4th advances in optoelectronics and micro/nano-optics, xi’an, china, 2014-09
作者:
Deng Xie
;
Zhi Ren Qiu
;
Ting Mei
;
Chee Wee Liu
;
Zhe Chuan Feng
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2015/05/22
应变半导体沟道形成方法和半导体器件
专利
专利号: CN201010244987.3, 申请日期: 2014-02-12, 公开日期: 2012-02-08
作者:
朱慧珑
;
尹海洲
;
骆志炯
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浏览/下载:8/0
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提交时间:2014/10/31
Ge/SiGe异质结构肖特基源漏MOSFET
期刊论文
2014
张茂添
;
刘冠洲
;
李成
;
王尘
;
黄巍
;
赖虹凯
;
陈松岩
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浏览/下载:5/0
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提交时间:2016/05/17
Ge/SiGe异质结构
肖特基势垒
关态电流
迁移率
掺杂
Ge /SiGe heterosturcture
Schottky barrier
off-state current
mobility
doping
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