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浏览/检索结果: 共6条，第1-6条 帮助 限定条件 发表日期：2013     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effects of substrate miscut on dislocation glide in metamorphic (Al) GaInP buffers 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 380, 期号: 0, 页码: 261-267 作者:  Li, KL;  Sun, YR;  Dong, JR(董建荣);  Zhao, YM;  Yu, SZ 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/13 Stresses  X-ray diffraction  Metal-organic chemical vapor deposition  Semiconductor III-V materials   Effects of Substrate Miscut on the Quality of In0.3Ga0.7As Layers Grown on Metamorphic (Al)GaInP Buffers by Metal-Organic Chemical Vapor Deposition 期刊论文 APPLIED PHYSICS EXPRESS, 2013, 卷号: 6, 期号: 6 作者:  Zhao, YM(赵勇明);  Dong, JR(董建荣);  Yang, H(杨辉);  Yu, SZ(于淑珍) 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2014/01/13 Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition 期刊论文 JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 2013, 卷号: 363, 期号: 0, 页码: 44-48 作者:  Ji, L(季莲);  Zhao, YM(赵勇明);  Yang, H(杨辉);  Dong, JR(董建荣);  Lu, SL(陆书龙) 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/01/09 Organometallic vapor phase epitaxy   Aluminum nitride transitional layer for reducing dislocation density and cracking of AlGaN epitaxial films 专利 专利号: US8349633, 申请日期: 2013-01-08, 公开日期: 2013-01-08 作者:  ALLERMAN, ANDREW A.;  CRAWFORD, MARY H.;  LEE, STEPHEN R. 收藏  |  浏览/下载：15/0  |  提交时间：2019/12/24 TEM dislocations characterization of InxGa1-xAs/InP (100) (x=0.82) on mismatched InP substrate 期刊论文 Materials Letters, 2013, 期号: 106 Zhao L.; Sun J. G.; Guo Z. X.; Miao G. Q. 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2014/05/14 Thermal stability investigation of SiGe virtual substrate with a thin Ge buffer layer grown on Si substrate 期刊论文 http://dx.doi.org/10.1016/j.jcrysgro.2013.04.021, 2013 Qi, Dongfeng; Liu, Hanhui; Chen, Songyan; Li, Cheng; Lai, Hongkai; 陈松岩; 李成; 赖虹凯 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/07/22 THREADING DISLOCATION DENSITY  GEXSI1-X LAYERS  STRAIN  RELAXATION  DIFFUSION