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Influence of He implantation dose on strain relaxation of pseudomorphic SiGe/Si heterostructure 期刊论文
THIN SOLID FILMS, 2013, 卷号: 542, 页码: 129-133
作者:  Liu, LJ;  Xue, ZY;  Chen, D;  Mu, ZQ;  Bian, JT
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2015/05/25
Optimization of SiGe selective epitaxy for source/drain engineering 期刊论文
Journal of Applied Physics, 2013
作者:  M.Kolahdouz;  Wang GL(王桂磊);  M.Moeen;  A.Abedin;  Luo J(罗军)
收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2014/10/30
Lateral Ge segregation and strain evolution in SiGe alloys during the formation of nickel germano-silicide on a relaxed Si073Ge 027 epilayer 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.4813778, 2013
Tang, Mengrao; Lin, Guangyang; Li, Cheng; Wang, Chen; Zhang, Maotian; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成; 赖虹凯; 陈松岩
收藏  |  浏览/下载：61/0  |  提交时间：2015/07/22
一种高质量应变的Ge/SiGe超晶格结构及其制备方法 专利
专利号: CN102162137B, 申请日期: 2013-05-29, 公开日期: 2013-05-29
作者:  刘学超;  杨建华;  施尔畏
收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2019/12/26
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文
硕士, 北京: 中国科学院大学, 2013
作者:  张晋新
收藏  |  浏览/下载：126/0  |  提交时间：2013/06/03
SiGe HBT单粒子效应损伤机理研究 学位论文
中国科学院新疆理化技术研究所: 中国科学院大学, 2013
作者:  张晋新
收藏  |  浏览/下载：1/0  |  提交时间：2013/06/03
基于SIGe HBT工艺的UHF功率放大器设计 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  陈春青
收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2017/10/13
基于SiGe工艺的单片集成VCO的研究 学位论文
: 中国科学院大学, 2013
作者:  黄银坤
收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2017/10/13
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成
收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2013/12/12
A CMOS-compatible approach to fabricate an ultra-thin germanium-on-insulator with large tensile strain for Si-based light emission 期刊论文
http://dx.doi.org/10.1364/OE.21.000640, 2013
Huang, Shihao; Lu, Weifang; Li, Cheng; Huang, Wei; Lai, Hongkai; Chen, Songyan; 李成
收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2015/07/22

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