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浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled ingaas/algaas quantum wells for 4.3-μm mid-wavelength infrared detection 期刊论文 Nanoscale research letters, 2013, 卷号: 8, 期号: 1 作者:  Shi,Zhenwu;  Wang,Lu;  Zhen,Honglou;  Wang,Wenxin;  Chen,Hong 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2019/05/09 Molecular beam epitaxy  Quantum well infrared detector  Ingaas/algaas quantum well   Resolving exciton diffusion in InGaAs quantum wells using micro-photoluminescence mapping with a lateral excitation 期刊论文 SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY, 2013, 卷号: 28, 期号: 12 Cao, S; Ji, XF; Qiu, KS; Gao, YN; Zhao, YH; Tang, J; Xu, Z; Jin, KJ; Xu, XL 收藏  |  浏览/下载：23/0  |  提交时间：2014/01/16 Molecular beam epitaxy growth of peak wavelength-controlled InGaAs/AlGaAs quantum wells for 4.3-mu m mid-wavelength infrared detection 期刊论文 NANOSCALE RESEARCH LETTERS, 2013, 卷号: 8 Shi, ZW; Wang, L; Zhen, HL; Wang, WX; Chen, H 收藏  |  浏览/下载：14/0  |  提交时间：2014/01/16 Molecular beam epitaxy  Quantum well infrared detector  InGaAs/AlGaAs quantum well