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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2013    专题：物理研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Influence of Si doping on the structural and optical properties of InGaN epilayers 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Lu, PY; Ma, ZG; Su, SC; Zhang, L; Chen, H; Jia, HQ; Jiang, Y; Qian, WN; Wang, G; Lu, TP; He, M 收藏  |  浏览/下载：22/0  |  提交时间：2014/01/16 Si doping  InGaN  V-shaped defect   Effect of InxGa1-xN "continuously graded" buffer layer on InGaN epilayer grown by metalorganic chemical vapor deposition 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2013, 卷号: 22, 期号: 10 Qian, WN; Su, SC; Chen, H; Ma, ZG; Zhu, KB; He, M; Lu, PY; Wang, G; Lu, TP; Du, CH; Wang, Q; Wu, WB; Zhang, WW 收藏  |  浏览/下载：21/0  |  提交时间：2014/01/16 InGaN  reciprocal space map  indium incorporation  surface morphology   Transfer and recombination mechanism of carriers in phase-separated InGaN quantum wells 期刊论文 JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, 2013, 卷号: 114, 期号: 9 Sun, H; Ji, ZW; Wang, HN; Xiao, HD; Qu, S; Xu, XG; Jin, AZ; Yang, HF 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2014/01/17 A novel wavelength-adjusting method in InGaN-based light-emitting diodes 期刊论文 SCIENTIFIC REPORTS, 2013, 卷号: 3 Deng, Zhen; Jiang, Yang; Ma, Ziguang; Wang, Wenxin; Jia, Haiqiang; Zhou, Junming; Chen, Hong 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2014/01/17