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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2013    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 540-meV Hole Activation Energy for GaSb/GaAs Quantum Dot Memory Structure Using AlGaAs Barrier 期刊论文 ieee electron device letters, 2013, 卷号: 34, 期号: 6, 页码: 759-761 Cui, Kai; Ma, Wenquan; Zhang, Yanhua; Huang, Jianliang; Wei, Yang; Cao, Yulian; Guo, Xiaolu; Li, Qiong 收藏  |  浏览/下载：19/0  |  提交时间：2013/08/27