QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2012     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Extra source implantation for suppression floating-body effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 NUCLEAR INSTRUMENTS & METHODS IN PHYSICS RESEARCH SECTION B-BEAM INTERACTIONS WITH MATERIALS AND ATOMS, 2012, 卷号: 272, 页码: 128-131 Chen, J; Luo, JX; Wu, QQ; Chai, Z; Huang, XL; Wei, X; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：17/0  |  提交时间：2013/04/17 Partially depleted SOI  Floating-body effect  The kink effect  Esaki tunnel  Junction  Body contact   A Tunnel Diode Body Contact Structure for High-Performance SOI MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON ELECTRON DEVICES, 2012, 卷号: 59, 期号: 1, 页码: 101-107 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Zhou, JH; Yu, T; Dong, YJ; Li, L; Liu, W; Qiu, C; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：13/0  |  提交时间：2013/04/17 Body contact  floating-body effects (FBEs)  kink effect  linear kink effect (LKE)  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI MOSFETs  tunnel diode  tunnel diode body contact (TDBC)   TDBC SOI technology to suppress floating body effect in PD SOI p-MOSFETs 期刊论文 ELECTRONICS LETTERS, 2012, 卷号: 48, 期号: 11, 页码: 652-653 Luo, JX; Chen, J; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：16/0  |  提交时间：2013/04/17 Impact of back-gate bias on the hysteresis effect in partially depleted SOI MOSFETs 期刊论文 CHINESE PHYSICS B, 2012, 卷号: 21, 期号: 5, 页码: 56602 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Yu, T; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：18/0  |  提交时间：2013/04/17 floating body effect  hysteresis effect  back gate bias  partially depleted (PD) SOI   Temperature Dependence of Hysteresis Effect in Partially Depleted Silicon-on-Insulator MOSFETs 期刊论文 IEEE TRANSACTIONS ON DEVICE AND MATERIALS RELIABILITY, 2012, 卷号: 12, 期号: 1, 页码: 63-67 Luo, JX; Chen, J; Zhou, JH; Wu, QQ; Chai, Z; Wang, X 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2013/04/17 Hysteresis  MOSFET  partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI)  SOI technology  temperature