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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：北京大学    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Unified Scale Length for Four-Terminal Double-Gate MOSFETs 期刊论文 ieee电子器件汇刊, 2012 Zhou, Xingye; Liu, Feng; Zhang, Lining; Wang, Cheng; He, Jin; Zhang, Xing; Chan, Mansun 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/10 Device design  double-gate (DG) metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET)  scale length  short-channel effects (SCEs)  SOI   An optimized hardware video encoder for AVS with level C+ data reuse scheme for motion estimation 其他 2012-01-01 Wei, Kaijin; Zhou, Rongwei; Zhang, Shanghang; Jia, Huizhu; Xie, Don; Gao, Wen 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/17 Study on Schottky Barrier Modulation of NiGe/Ge by Ion-implantation after Germanidation Technique 其他 2012-01-01 Li, Zhiqiang; An, Xia; Li, Min; Yun, Quanxin; Lin, Meng; Li, Ming; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2015/11/13 GE   Reactive Ion Etching of Germanium Using SF6/CHF3/He gas mixture 其他 2012-01-01 Li, Min; Lin, Meng; Yun, Quanxin; Li, Zhiqiang; An, Xia; Li, Ming; Zhang, Xing; Huang, Ru 收藏  |  浏览/下载：2/0  |  提交时间：2015/11/13 MOSFETS