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浏览/检索结果: 共1条，第1-1条 帮助 限定条件 发表日期：2012    专题：力学研究所    第一署名单位    第一作者单位    通讯作者单位     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Modeling on ammonothermal growth of GaN semiconductor crystals 期刊论文 PROGRESS IN CRYSTAL GROWTH AND CHARACTERIZATION OF MATERIALS, 2012, 卷号: 58, 期号: 2-3, 页码: 61-73 作者:  Chen QS(陈启生);  Yan JY(颜君毅);  Jiang YN(姜燕妮);  Li W(李炜);  Chen, QS 收藏  |  浏览/下载：47/0  |  提交时间：2013/01/18 GaN crystal  Baffle opening  Ammonothermal growth  Mass transfer  Gallium Nitride  Supercritical Ammonia  Single-Crystals  Transport  Seed