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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2011    内容类型：专利     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 氮化镓基半导体激光器外延结构及其制作方法 专利 专利号: CN102299482A, 申请日期: 2011-12-28, 公开日期: 2011-12-28 作者:  曾畅;  张书明;  刘建平;  王辉;  冯美鑫 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2020/01/18 含有数字合金位错隔离层的大失配外延缓冲层结构及制备 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102254954A, 申请日期: 2011-11-23, 公开日期: 2011-11-23 顾溢; 张永刚 收藏  |  浏览/下载：9/0  |  提交时间：2012/01/06 渐变掺杂组分组合式的大口径钕玻璃片状激光放大器 专利 专利号: CN101752779B, 申请日期: 2011-05-25, 公开日期: 2011-05-25 作者:  孙平平;  张艳丽;  李小燕;  张涛;  张燕 收藏  |  浏览/下载：3/0  |  提交时间：2019/12/24 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02 顾溢; 张永刚 收藏  |  浏览/下载：10/0  |  提交时间：2012/01/06 一种包含赝衬底的InP基应变量子阱结构及制备方法 专利 专利号: CN101982905A, 申请日期: 2011-03-02, 公开日期: 2011-03-02 作者:  顾溢;  张永刚 收藏  |  浏览/下载：5/0  |  提交时间：2020/01/18