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科研机构
半导体研究所 [5]
内容类型
期刊论文 [5]
发表日期
2011 [5]
学科主题
半导体材料 [5]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
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Anomalous Temperature Dependence of Photoluminescence in InAs/InAlGaAs/InP Quantum Wire and Dot Hybrid Nanostructures
期刊论文
chinese physics letters, 2011, 卷号: 28, 期号: 2, 页码: article no.27801
作者:
Xu B
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浏览/下载:51/3
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提交时间:2011/07/05
CONTINUOUS-WAVE OPERATION
EMISSION
LASERS
WAVELENGTH
EXCITONS
ENERGY
Investigation of cracks in GaN films grown by combined hydride and metal organic vapor-phase epitaxial method
期刊论文
nanoscale research letters, 2011, 卷号: 6, 页码: article no.69
作者:
Song HP
;
Wei HY
;
Li CM
;
Jiao CM
收藏
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浏览/下载:66/4
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提交时间:2011/07/05
CATHODOLUMINESCENCE CHARACTERIZATION
GALLIUM NITRIDE
STRESSES
LAYERS
HETEROSTRUCTURE
DEPOSITION
CONSTANTS
MECHANISM
SAPPHIRE
STRAIN
Infrared transition properties of vanadium dioxide thin films across semiconductor-metal transition
期刊论文
rare metals, 2011, 卷号: 30, 期号: 3, 页码: 247-251
作者:
Li GK
收藏
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浏览/下载:75/2
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提交时间:2011/07/05
vanadium dioxide
infrared transition
diffraction effect
dual ion beam sputtering
annealing
Growth of GaN film on Si (111) substrate using AlN sandwich structure as buffer
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 464-467
作者:
Pan X
收藏
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浏览/下载:81/5
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提交时间:2011/07/05
Sandwich structure
Stress
Aluminum nitride
Gallium nitride
Silicon
PHONON DEFORMATION POTENTIALS
WURTZITE ALN
SILICON
STRESS
TRANSISTORS
EPITAXY
LAYERS
Defect properties of as-grown and electron-irradiated Te-doped GaSb studied by positron annihilation
期刊论文
semiconductor science and technology, 2011, 卷号: 26, 期号: 7, 页码: article no.75016
Li H
;
Zhou K
;
Pang JB
;
Shao YD
;
Wang Z
;
Zhao YW
收藏
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浏览/下载:53/10
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提交时间:2011/07/05
UNDOPED GALLIUM ANTIMONIDE
SELF-DIFFUSION
NATIVE DEFECTS
N-TYPE
CRYSTALS
CATHODOLUMINESCENCE
PHOTOLUMINESCENCE
SEMICONDUCTORS
SPECTROSCOPY
LUMINESCENCE
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