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科研机构
半导体研究所 [8]
内容类型
期刊论文 [8]
发表日期
2011 [8]
学科主题
半导体材料 [8]
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发表日期:2011
学科主题:半导体材料
内容类型:期刊论文
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MOCVD growth of a-plane InN films on r-Al2O3 with different buffer layers
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 319, 期号: 1, 页码: 114-117
作者:
Jia CH
;
Song HP
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浏览/下载:118/2
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提交时间:2011/07/05
Anisotropy
Crystal morphology
Metalorganic chemical vapor deposition
a-Plane InN
INDIUM NITRIDE
MOVPE GROWTH
CUBIC INN
SAPPHIRE
GAN
MBE
Room-temperature spin photocurrent spectra at interband excitation and comparison with reflectance-difference spectroscopy in InGaAs/AlGaAs quantum wells
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 5, 页码: article no.53519
Yu JL
;
Chen YH
;
Jiang CY
;
Liu Y
;
Ma H
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浏览/下载:36/4
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提交时间:2011/07/05
MOLECULAR-BEAM EPITAXY
INVERSION ASYMMETRY
HETEROSTRUCTURES
SEGREGATION
INTERFACE
Redshift and discrete energy level separation of self-assembled quantum dots induced by strain-reducing layer
期刊论文
journal of applied physics, 2011, 卷号: 109, 期号: 6, 页码: article no.64320
作者:
Yang T
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浏览/下载:53/5
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提交时间:2011/07/05
PHOTOLUMINESCENCE
EMISSION
INALAS
Study of molecular-beam epitaxy growth on patterned GaAs (1 0 0) substrates by masked indium ion implantation
期刊论文
journal of crystal growth, 2011, 卷号: 318, 期号: 1, 页码: 572-575
作者:
Xu B
;
Jin P
;
Ye XL
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浏览/下载:63/1
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提交时间:2011/07/05
Atom force microscopy
Nanostructures
Molecular-beam epitaxy
Nanomaterials
Semiconducting gallium arsenide
QUANTUM-DOTS
ANODIC ALUMINA
ARRAYS
PLACEMENT
INAS
Fabrication of a novel lumped electro-absorption modulator with a lower RC-time constant
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 10, 页码: 105002
Qiu, Yingping
;
Wang, Yang
;
Shao, Yongbo
;
Zhou, Daibing
;
Liang, Song
;
Zhao, Lingjuan
;
Wang, Wei
收藏
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浏览/下载:11/0
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提交时间:2012/06/14
Absorption
Capacitance
Fabrication
Light extinction
Semiconducting indium gallium arsenide
Waveguides
Investigation of structural and optical anisotropy of m-plane InN films grown on gamma-LiAlO(2)(100) by metal organic chemical vapour deposition
期刊论文
journal of physics d-applied physics, 2011, 卷号: 44, 期号: 24, 页码: 245402
Fu D
;
Zhang R
;
Liu B
;
Xie ZL
;
Xiu XQ
;
Gu SL
;
Lu H
;
Zheng YD
;
Chen YH
;
Wang ZG
收藏
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浏览/下载:13/0
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提交时间:2012/02/06
FUNDAMENTAL-BAND GAP
INDIUM NITRIDE
BUFFER LAYER
DEPENDENCE
SAPPHIRE
MOCVD
Simulation of electrical properties of InxAl1- XN/AlN/GaN high electron mobility transistor structure
期刊论文
journal of semiconductors, 2011, 卷号: 32, 期号: 8, 页码: 83003
Bi, Yang
;
Wang, Xiaoliang
;
Xiao, Hongling
;
Wang, Cuimei
;
Yang, Cuibai
;
Peng, Enchao
;
Lin, Defeng
;
Feng, Chun
;
Jiang, Lijuan,
收藏
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浏览/下载:12/0
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提交时间:2012/06/14
Aluminum
Electron mobility
Gallium nitride
High electron mobility transistors
Indium
Poisson equation
Polarization
Two dimensional electron gas
阳极氧化铝工艺用于提高LED的出光效率
期刊论文
半导体技术, 2011, 卷号: 36, 期号: 4, 页码: 283-286
作者:
刘志强
;
伊晓燕
;
王晓峰
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浏览/下载:25/0
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提交时间:2012/07/17
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