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科研机构
微电子研究所 [2]
内容类型
专利 [2]
发表日期
2010 [2]
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发表日期:2010
内容类型:专利
专题:微电子研究所
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单片集成GaAs基PHEMT和PIN二极管材料结构
专利
专利号: CN200710178321.0, 申请日期: 2010-11-03, 公开日期: 2009-06-03
作者:
徐静波
;
张海英
;
叶甜春
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浏览/下载:3/0
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提交时间:2010/11/26
单片集成砷化镓基MHEMT和PIN二极管材料结构
专利
专利号: CN200710178311.7, 申请日期: 2010-02-17, 公开日期: 2009-06-03
作者:
徐静波
;
张海英
;
叶甜春
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提交时间:2010/11/26
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