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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2010    学科主题：光电子学     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 器件参数对GaN基n+-GaN/i-Alx Ga1-xN/n+-GaN结构紫外和红外双色探测器中紫外响应的影响 期刊论文 物理学报, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909 作者:  江德生;  朱建军;  张书明;  邓懿;  吴亮亮 收藏  |  浏览/下载：29/0  |  提交时间：2011/08/16 Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 期刊论文 chinese physics b, 2010, 卷号: 19, 期号: 3, 页码: art. no. 036801 Wu YX (Wu Yu-Xin); Zhu JJ (Zhu Jian-Jun); Chen GF (Chen Gui-Feng); Zhang SM (Zhang Shu-Ming); Jiang DS (Jiang De-Sheng); Liu ZS (Liu Zong-Shun); Zhao DG (Zhao De-Gang); Wang H (Wang Hui); Wang YT (Wang Yu-Tian); Yang H (Yang Hui) 收藏  |  浏览/下载：127/4  |  提交时间：2010/04/13 GaN  Si (111) substrate  metalorganic chemical vapour deposition  AlN buffer layer  AlGaN interlayer  : VAPOR-PHASE EPITAXY  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  ALXGA1-XN  FILM   Effects of AlGaN/AlN Stacked Interlayers on GaN Growth on Si (111) 期刊论文 chinese physics letters, 2010, 卷号: 27, 期号: 3, 页码: art. no. 038103 Wang H (Wang Hui); Liang H (Liang Hu); Wang Y (Wang Yong); Ng KW (Ng Kar-Wei); Deng DM (Deng Dong-Mei); Lau KM (Lau Kei-May) 收藏  |  浏览/下载：96/3  |  提交时间：2010/04/22 VAPOR-PHASE EPITAXY  TEMPERATURE ALN INTERLAYERS  CRACK-FREE GAN  STRESS-CONTROL  SI(111)  DEPOSITION  REDUCTION  THICKNESS  NITRIDE  LAYERS   Effects of AlGaN layer parameter on ultraviolet response of n(+)-GaN/i-AlxGa1 (-) N-x/n(+)-GaN structure ultraviolet-infrared photodetector 期刊论文 acta physica sinica, 2010, 卷号: 59, 期号: 12, 页码: 8903-8909 作者:  Zhu JJ;  Jiang DS;  Zhao DG;  Deng Y;  Wu LL 收藏  |  浏览/下载：54/2  |  提交时间：2011/07/05 GaN  ultraviolet and infrared photodetector  quantum efficiency  SOLAR-BLIND