×
验证码:
换一张
忘记密码?
记住我
CORC
首页
科研机构
检索
知识图谱
申请加入
托管服务
登录
注册
在结果中检索
科研机构
半导体研究所 [11]
福建物质结构研究所 [2]
力学研究所 [1]
厦门大学 [1]
内容类型
期刊论文 [14]
会议论文 [1]
发表日期
2009 [15]
学科主题
半导体物理 [6]
半导体材料 [1]
×
知识图谱
CORC
开始提交
已提交作品
待认领作品
已认领作品
未提交全文
收藏管理
QQ客服
官方微博
反馈留言
浏览/检索结果:
共15条,第1-10条
帮助
限定条件
发表日期:2009
已选(
0
)
清除
条数/页:
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
75
80
85
90
95
100
排序方式:
请选择
作者升序
作者降序
题名升序
题名降序
发表日期升序
发表日期降序
提交时间升序
提交时间降序
The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
收藏
  |  
浏览/下载:44/0
  |  
提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
matrix
The effects of indium segregation on exciton binding energy and oscillator strength in GaInAs/GaAs quantum wells
期刊论文
Superlattices and Microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 4, 页码: 618-626
S. D. Wu, Z. Huang, Y. Liu, Q. F. Huang, W. Guo and Y. G. Cao
收藏
  |  
浏览/下载:45/0
  |  
提交时间:2012/11/06
Indium segregation
Transfer matrix method
Exciton binding energy
Exciton oscillator strength
molecular-beam-epitaxy
surface segregation
electric-field
ingaas
layers
growth
atoms
profile
matrix
Electronic structure and optical gain of truncated inas1-xnx/gaas quantum dots
期刊论文
Superlattices and microstructures, 2009, 卷号: 46, 期号: 3, 页码: 498-506
作者:
Chen, J.
;
Fan, W. J.
;
Xu, Q.
;
Zhang, X. W.
;
Li, S. S.
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Band structure
K.p method
Quantum dots
Diluted nitride
Optical gain
Temperature dependent and time-resolved photoluminescence studies of InAs self-assembled quantum dots with InGaAs strain reducing layer structure
期刊论文
http://dx.doi.org/10.1063/1.3159648, 2009
Kong, Lingmin
;
Feng, Zhe Chuan
;
Wu, Zhengyun
;
Lu, Weijie
;
吴正云
收藏
  |  
浏览/下载:5/0
  |  
提交时间:2015/07/22
1.3 MU-M
RADIATIVE RECOMBINATION
OPTICAL-PROPERTIES
CAPPING LAYER
EXCITONS
EPITAXY
EMISSION
RELAXATION
LIFETIMES
SPECTRA
Spin relaxation in submonolayer and monolayer inas structures grown in a gaas matrix
期刊论文
Physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Yang, Chunlei
;
Cui, Xiaodong
;
Shen, Shun-Qing
;
Xu, Zhongying
;
Ge, Weikun
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Electronic structure and optical gain saturation of inas(1-x)n(x)/gaas quantum dots
期刊论文
Journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: 10
作者:
Chen, J.
;
Fan, W. J.
;
Xu, Q.
;
Zhang, X. W.
;
Li, S. S.
收藏
  |  
浏览/下载:22/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Spin splitting of conduction subbands in al0.3ga0.7as/gaas/alxga1-x as/al0.3ga0.7as step quantum wells
期刊论文
Epl, 2009, 卷号: 85, 期号: 3, 页码: 5
作者:
Hao, Y. F.
;
Chen, Y. H.
;
Liu, Y.
;
Wang, Z. G.
收藏
  |  
浏览/下载:12/0
  |  
提交时间:2019/05/12
Spin relaxation in submonolayer and monolayer InAs structures grown in a GaAs matrix
期刊论文
physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 3, 页码: art. no. 035313
Yang CL
;
Cui XD
;
Shen SQ
;
Xu ZY
;
Ge WK
收藏
  |  
浏览/下载:66/0
  |  
提交时间:2010/03/08
QUANTUM-WELLS
SPINTRONICS
ELECTRON
Electronic structure and optical gain saturation of InAs1-xNx/GaAs quantum dots
期刊论文
journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 12, 页码: art. no. 123705
Chen J
;
Fan WJ
;
Xu Q
;
Zhang XW
;
Li SS
;
Xia JB
收藏
  |  
浏览/下载:82/4
  |  
提交时间:2010/03/08
EMISSION
SPECTRA
LASERS
8-BAND
Spin relaxation and dephasing mechanism in (Ga,Mn)As studied by time-resolved Kerr rotation
期刊论文
applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 142109
作者:
Zhang XH
;
Chen L
收藏
  |  
浏览/下载:109/22
  |  
提交时间:2010/03/08
Curie temperature
ferromagnetic materials
gallium compounds
Kerr magneto-optical effect
magnetic relaxation
magnetic thin films
manganese compounds
semimagnetic semiconductors
spin dynamics
time resolved spectra
©版权所有 ©2017 CSpace - Powered by
CSpace