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浏览/检索结果: 共5条，第1-5条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Effect of counterpart on the tribological behavior and tribo-induced phase transformation of Si 期刊论文 tribology international, 2009, 卷号: 42, 期号: 5, 页码: 628-633 Li XC; Lu JJ; Yang SR 收藏  |  浏览/下载：59/24  |  提交时间：2010/03/08 Single crystal silicon  Phase transformation  Friction coefficient  Wear  Tribological counterpart   Enhancement of conductivity and transmittance of ZnO films by post hydrogen plasma treatment 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 8, 页码: art. no. 083713 作者:  Zhang XW;  You JB;  Yin ZG 收藏  |  浏览/下载：70/1  |  提交时间：2010/03/08 annealing  carrier density  carrier mobility  diffusion  electrical conductivity  electrical resistivity  hydrogen  II-VI semiconductors  impurity states  interstitials  light transmission  plasma materials processing  semiconductor thin films  sputter deposition  vacancies (crystal)  visible spectra  wide band gap semiconductors  zinc compounds   Electric field driven quantum phase transition between band insulator and topological insulator 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 95, 期号: 22, 页码: art.no.222110 Li J (Li Jun); Chang K (Chang Kai) 收藏  |  浏览/下载：117/20  |  提交时间：2010/03/08 cadmium compounds   Room temperature photoluminescence of tensile-strained Ge/Si0.13Ge0.87 quantum wells grown on silicon-based germanium virtual substrate 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 14, 页码: art. no. 141902 Chen YH; Li C; Zhou ZW; Lai HK; Chen SY; Ding WC; Cheng BW; Yu YD 收藏  |  浏览/下载：93/14  |  提交时间：2010/03/08 chemical vapour deposition  elemental semiconductors  energy gap  germanium  Ge-Si alloys  photoluminescence  semiconductor epitaxial layers  semiconductor quantum wells  silicon  tensile strength   Effect of Ka-band microwave on the spin dynamics of electrons in a GaAs/Al0.35Ga0.65As heterostructure 期刊论文 applied physics letters, 2009, 卷号: 94, 期号: 19, 页码: art. no. 192107 作者:  Qian X 收藏  |  浏览/下载：80/7  |  提交时间：2010/03/08 aluminium compounds  carrier lifetime  gallium arsenide  high-frequency effects  III-V semiconductors  optical Kerr effect  semiconductor heterojunctions  spin dynamics  two-dimensional electron gas