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浏览/检索结果: 共4条，第1-4条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体物理     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 Distribution of dislocations in GaSb and InSb epilayers grown on GaAs (001) vicinal substrates 期刊论文 journal of applied physics, 2009, 卷号: 105, 期号: 9, 页码: art. no. 094903 Li MC; Qiu YX; Liu GJ; Wang YT; Zhang BS; Zhao LC 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/03/08 X-RAY-DIFFRACTION  MOLECULAR-BEAM-EPITAXY  FILMS  MISFIT   Molecular Beam Epitaxy of GaSb on GaAs Substrates with AlSb Buffer Layers 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 1, 页码: art. no. 018101 作者:  Xu YQ;  Tang B 收藏  |  浏览/下载：221/40  |  提交时间：2010/03/08 SURFACE-MORPHOLOGY  GROWTH  SUPERLATTICES  HETEROSTRUCTURES  TEMPERATURE  DETECTORS  GAAS(100)  FILMS  INAS  INSB   Dyakonov-Perel spin relaxation in InSb/AlxIn(1-x)Sb quantum wells 期刊论文 physical review b, 2009, 卷号: 80, 期号: 15, 页码: art.no.153307 Li J (Li Jun); Chang K (Chang Kai); Peeters FM (Peeters F. M.) 收藏  |  浏览/下载：209/55  |  提交时间：2010/03/08 SEMICONDUCTORS   Interfaces in InAs/GaSb Superlattices Grown by Molecular Beam Epitaxy 期刊论文 chinese physics letters, 2009, 卷号: 26, 期号: 4, 页码: art. no. 047802 作者:  Xu YQ 收藏  |  浏览/下载：205/51  |  提交时间：2010/03/08 INAS