QQ客服 官方微博 反馈留言

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助 限定条件 发表日期：2009    学科主题：半导体材料     已选(0)清除 条数/页：5101520253035404550556065707580859095100   排序方式：请选择作者升序作者降序题名升序题名降序发表日期升序发表日期降序提交时间升序提交时间降序 In-Situ Boron and Aluminum Doping and Their Memory Effects in 4H-SiC Homoepitaxial Layers Grown by Hot-Wall LPCVD 会议论文 international conference on silicon carbide and related materials, otsu, japan, oct 14-19, 2007 Sun, GS; Zhao, YM; Wang, L; Wang, L; Zhao, WS; Liu, XF; Ji, G; Zeng, YP 收藏  |  浏览/下载：40/0  |  提交时间：2010/03/09 in-situ doping  boron  aluminum  memory effects  hot-wall LPCVD  4H-SiC   Lithography-independent and large scale fabrication of a metal electrode nanogap 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 142-145 作者:  Li Yan;  Zhang Jiayong;  Fan Zhongchao 收藏  |  浏览/下载：12/0  |  提交时间：2010/11/23 Epitaxial growth on 4H-SiC by TCS as a silicon precursor 期刊论文 半导体学报, 2009, 卷号: 30, 期号: 9, 页码: 21-25 作者:  Liu Xingfang 收藏  |  浏览/下载：31/0  |  提交时间：2010/11/23